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产品类型:
MOSFET
产品参数:
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型号
功能描述
栅极阈值电压
漏源击穿电压
漏源导通电阻
温度范围
封装形式
规格书
CYT06N021
先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS和低栅极电荷
1.11V~2.5V
最小60.1V
11~20mΩ
-40℃~175℃
TO252
暂无文件
CYT06N021I
先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS和低栅极电荷
1.11V~2.5V
最小60.1V
11~20mΩ
-40℃~175℃
TO252
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